鍺是除硅之外最重要的半導體材料。由鍺材料深加工而成的砷化鎵、磷化銦晶片是芯片的最基礎材料。磷化銦(InP)是第二代化合物半導體材料，具有電子遷移率高、耐輻射性能好、禁帶寬度大等優(yōu)點，在光子和射頻領域擁有關鍵優(yōu)勢，是軍事通信、雷達、輻射測量以及自動測試設備的首選。滬硅產業(yè)的300mm大硅片的單片價格約314元，而6英寸半絕緣砷化鎵晶片價格在200美元，4英寸半絕緣磷化銦晶片售價高達1000美元，足見磷化銦和砷化鎵晶圓等化合物半導體的價格遠高于硅片。

  云南鍺業(yè)與中國科學院半導體研究所成立“半導體研究所光電半導體材料聯(lián)合實驗室”，經過12年的努力，突破了鍺、砷化鎵、磷化銦晶片的核心關鍵技術。

  2020年12月10日，華為旗下的哈勃科技投資有限公司戰(zhàn)略投資云南鍺業(yè)控股子公司云南鑫耀半導體材料有限公司(以下簡稱“鑫耀半導體”)，持股23.91%。鑫耀半導體主要從事半導體材料：砷化鎵及磷化銦襯底(單晶片)的研發(fā)及生產。2019年8月，其試生產的6英寸砷化鎵單晶片、4英寸磷化銦單晶片通過了華為海思現(xiàn)場核查驗證，目前開始向客戶供貨，并由客戶進行試用。

  云南鍺業(yè)董事長包文東表示，在十四五期間，云南鍺業(yè)將充分發(fā)揮企業(yè)豐富的鍺資源儲備及深加工技術優(yōu)勢，聯(lián)合中科院、華為等戰(zhàn)略合作伙伴，把云南鍺業(yè)做成一流的光電、半導體新材料基地，做大產業(yè)鏈，不斷開發(fā)新產品，向著半導體新材料千億級市場邁進。